Publication

発表論文歴（主著論文）Journal articles (1st author)

  1. K. Shimazoe, H. Nishinaka, and M. Yoshimoto, “Demonstration of vertical schottky barrier diodes based on α-Ga2O3 thin films enabled by corundum structured rh-ITO bottom electrodes. MRS Advances (2024), DOI: https://doi.org/10.1557/s43580-024-00785-5 (in press)
  2. K. Shimazoe, H. Nishinaka, and M. Yoshimoto, “Heteroepitaxial growth of a-, m-, and r-plane α-Ga2O3 thin films on rh-ITO electrodes for vertical device applications”, Journal of Crystal Growth 630, 127596, (2024), DOI: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2024.127596
  3. K. Shimazoe, H. Nishinaka, Y. Taniguchi, T. Kato, K. Kanegae, and M. Yoshimoto, “Vertical self-powered ultraviolet photodetector using α-Ga2O3 thin films on corundum structured rh-ITO electrodes”, Materials Letters, 341, pp.134282 (2023), DOI: https://doi.org/10.1016/j.matlet.2023.134282
  4. K. SHIMAZOE, H. NISHINAKA, Y. ARATA, and M. YOSHIMOTO (島添 和樹, 西中 浩之, 新田 悠汰, 吉本 昌広), “Impact of α-Fe2O3 Buffer Layer Growth Time on the α-Ga2O3 Grown on LiTaO3 Substrates (LiTaO3基板上へのα-Ga2O3の成長にα-Fe2O3バッファ層の成長時間が与える影響)”, Journal of the Society of Materials Science, Japan(材料), 71 巻 10 号 p. 830-834 (2022), DOI:https://doi.org/10.2472/jsms.71.830
  5. K. Shimazoe, H. Nishinaka, K. Watanabe, M. Yoshimoto,” Epitaxial growth of metastable c-plane rhombohedral indium tin oxide using mist chemical vapor deposition”, Mater. Sci. Semicond. Process, 147, pp.106689-1 – 106689-7 (2022), DOI: https://doi.org/10.1016/j.mssp.2022.106689
  6. K. Shimazoe, H. Nishinaka, Y. Arata, D. Tahara, and M. Yoshimoto, “Phase Control of α- and κ-Ga2O3 Epitaxial Growth on LiNbO3 and LiTaO3 Substrates Using α-Fe2O3 Buffer Layers”, AIP Adv., 10, pp. 055310. (2020), DOI: https://doi.org/10.1063/5.0006137

発表論文歴（共著論文）Journal articles (co-author)

  1. Maria Carmen Martinez-Tomas, Oleksii Klymov, Kazuki Shimazoe, Juan-Francisco Sánchez-Royo, Mahesh Eledath Changarath, Said Agouram, and Vicente Muñoz-Sanjosé, “Elastic and inelastic strain in submicron-thick ZnO epilayers grown on r-sapphire substrates by metal-organic vapour phase deposition. Acta Crystallographica Section B: Structural Science, Crystal Engineering and Materials 80, ISSN 2052-5206, (2024), DOI: https://doi.org/10.1107/S2052520624000441
  2. Yoko Taniguchi, Hiroyuki Nishinaka, Kazuki Shimazoe, Toshiyuki Kawaharamura, Kazutaka Kanegae, and Masahiro Yoshimoto, “Visible-light absorption of indium oxide thin films via Bi3+ doping for visible-light-responsive photocatalysis”, Materials Chemistry and Physics, (2024), DOI: https://doi.org/10.1016/j.matchemphys.2024.128961 (in press)
  3. Takahiro Kato, Hiroyuki Nishinaka, Kazuki Shimazoe, and Masahiro Yoshimoto, “Epitaxial growth of δ-Ga2O3 thin films grown on YSZ and sapphire substrates using β-Fe2O3 buffer layers via mist CVD”, Phys. Status Solidi A., 2300582 (2023), DOI: https://doi.org/10.1002/pssa.202300582
  4. Takahiro Kato, Hiroyuki Nishinaka, Kazuki Shimazoe, Kazutaka Kanegae, and Masahiro Yoshimoto, “Demonstration of Bixbyite-Structured δ-Ga2O3 Thin Films Using β-Fe2O3 Buffer Layers by Mist Chemical Vapor Deposition”, ACS Applied Electronic Materials, 5, pp. 1715–1720 (2023), DOI: https://doi.org/10.1021/acsaelm.2c01750
  5. Temma Ogawa, Hiroyuki Nishinaka, Kazuki Shimazoe, Tatsuji Nagaoka, Hiroki Miyake, Kazutaka Kanegae, and Masahiro Yoshimoto, “Homoepitaxial growth of Ge doped β-gallium oxide thin films by mist chemical vapor deposition”, Japanese Journal of Applied Physics, 62, SF1016 (2023), DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/acba25https://doi.org/10.1016/j.matchemphys.2024.128961
  6. Hiroyuki Nishinaka, Kazuki Shimazoe, Kazutaka Kanegae, and Masahiro Yoshimoto, “Corundum-structured α-Fe2O3 substrates for α-Ga2O3 epitaxial growth”, Materials Letters, 334, pp. 133784(2023) DOI:https://doi.org/10.1016/j.matlet.2022.133784
  7. Y. Arata, H. Nishinaka, K. Shimazoe, and M. Yoshimoto(新田 悠汰, 西中 浩之, 島添 和樹, 吉本 昌広), “Growth of metastable α-Ga2O3 epitaxial thin film on flexible synthetic mica by insertion α-Fe2O3 buffer layer(α-Fe2O3バッファ層の挿入によるフレキシブルな合成雲母基板上へのα-Ga2O3薄膜のエピタキシャル成長)”, Zairyo/Journal of the Society of Materials Science(材料), Japan, 70, pp. 738-844(2021), DOI:https://doi.org/10.2472/jsms.70.738
  8. D. Tahara, H. Nishinaka, Y. Arata, K. Shimazoe, M. Yoshimoto, “ Microstructures of ε-Ga2O3 thin film on (100) TiO2 substrate by mist chemical vapor deposition”, IMFEDK 2019 – International Meeting for Future of Electron Devices Kansai, 8950694, pp. 79–80(2019), DOI: 10.1109/IMFEDK48381.2019.8950694
  9. Y. Arata , H. Nishinaka , K. Shimazoe , and M. Yoshimoto, “Epitaxial Growth of Bendable Cubic NiO and In2O3 Thin Films on Synthetic Mica for p- and n-type Wide-Bandgap Semiconductor Oxides”, MRS Advances, pp. 1–9.(2020)　　　Volume 5, Issue 31-32, 2020, pp. 1671-1679, DOI: https://doi.org/10.1557/adv.2020.85

国内学会発表(第一筆頭著者) Presentation in domestic conference(1st author)

  1. ○島添 和樹, 西中 浩之, 吉本 昌広, “コランダム構造酸化物ヘテロ構造のミストCVD成長とデバイス応用”, 第52回結晶成長国内会議（JCCG-52）, 06a-P13, 愛知, 2023年12月
  2. 〇Kazuki Shimazoe, Hiroyuki Nishinaka, and Masahiro Yoshimoto, “Realizing Vertical Corundum-Structured Oxide Devices with Rhombohedral Indium Tin Oxide Bottom Electrode”, 第42回電子材料シンポジウム(EMS42), We2-7, 奈良, 2023年10月(受賞)
  3. 〇島添 和樹, 西中 浩之, 谷口 陽子, 鐘ケ江　一孝, 吉本 昌広, “配向制御した酸化鉄光電極のミストCVD成長とその評価”, 日本化学会 第103春季年会, P2-2vn-04, 千葉, 2023年3月
  4. 〇島添 和樹，西中 浩之，加藤 貴大，谷口 陽子，鐘ケ江 一孝，吉本 昌広, “α-Ga2O3/rh-ITO構造のヘテロエピタキシャル成長と深紫外フォトディテクタの試作”, 第70回応用物理学会春季学術講演会, 15p-E102-14, 東京, 2023年3月
  5. 〇島添和樹，西中浩之, 谷口陽子, 鐘ケ江一考, 吉本昌広, “酸化鉄光電極のミストCVD成長とその評価”, 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 20a-B204-9, 宮城(ハイブリッド), 2022年9月,
  6. 〇島添和樹，西中浩之，谷口陽子，鐘ケ江一孝、吉本昌広、“コランダム構造スズ添加酸化インジウムを下部電極に用いた酸化鉄人工光合成向け光電極の作製”, 第41回光がかかわる触媒化学シンポジウム，P08, オンライン, 2022年7月
  7. 〇島添和樹, 藤原悠希, 田中将, 西中浩之, 吉本 昌広, 野田実, “コランダム構造を有するrh-ITO上へのHfxZr1-xO2薄膜のミストCVD成長とその評価”,第39回強誘電体会議, 04am-02, 2022年6月
  8. 〇島添和樹, 西中浩之, 谷口陽子, 吉本昌広, ” ありふれた酸化鉄を用いた人工光合成系実現に向けた光電極のミストCVD成長”, 応用物理学会関西支部2022年度 第1回講演会, P-26, 2022年5月
  9. 〇島添 和樹, 西中 浩之, 石野 貴之, 渡邉 啓佑, 吉本 昌広, ”ミストCVD法によるスズ添加酸化インジウム及びフッ素添加酸化スズ薄膜のエピタキシャル成長 / Mist Chemical Vapor Deposition for Epitaxial Transparent Conductive Indium Tin Oxide and Fluorine Doped Tin Oxide Thin Films.”, 第31回 日本MRS年次大会, E-O14-004, オンライン, 2021年12月
  10. 〇島添 和樹， 藤原 悠希, 新田 悠汰, 西中 浩之, 吉本 昌広, 野田 実, “ミストCVD法を用いたrh-ITOエピタキシャル薄膜上へのHfxZr1-xO2薄膜成長”, 第82回秋季応用物理学会学術講演会, 12p-N301-12, オンライン, 2021年9月
  11. 〇K. Shimazoe, H. Nishinaka, Y. Arata, Y. Ito, and M. Yoshimoto, “Growth of Metastable Rhombohedral Structured Oxides Using Alpha-Fe2O3 Buffer Layers via Mist CVD Method”, 第39回電子材料シンポジウム, P2-4, オンライン, 2020年10月
  12. 〇島添 和樹, 西中 浩之, 新田 悠汰, 伊藤 雄祐, 吉本 昌広, “ミストCVD法によるLiTaO3基板上へのバッファ層を用いないrh-ITOエピタキシャル薄膜の成長とその評価”, 第81回応用物理学会秋季学術講演会, 9a-Z20-4, オンライン, 2020年9月
  13. 〇島添 和樹, 西中 浩之, 新田 悠汰, 伊藤 雄祐, 吉本 昌広, “酸化鉄を用いた準安定酸化物半導体の結晶相制御” 2020年度 日本材料学会 半導体エレクトロニクス部門委員会 第1回研究会, 13:40-14:00①, オンライン, 2020年 8月
  14. 〇島添 和樹, 西中 浩之, 田原 大祐, 新田 悠汰, 吉本 昌広, “ミストCVD法による準安定相rh-ITO薄膜のエピタキシャル成長と評価” 第67回応用物理学会春季学術講演会, 15a–PA5–10, 東京, 2020年 3月
  15. 〇島添 和樹, 西中 浩之, 田原 大祐, 新田 悠汰, 吉本 昌広, “LiNbO3, LiTaO3基板上のα, ε-Ga2O3薄膜のエピタキシャル成長” 第80回応用物理学会秋季学術講演会, 20p–B31–17, 北海道, 2019年9月
  16. 〇島添 和樹, 西中 浩之, 吉本 昌広, “α-Fe2O3バッファー層を用いたr面α-Al2O3基板上の準安定相rh-ITOエピタキシャル薄膜の成長と評価” 第66回応用物理学会春季学術講演会, 12a–PA3–23, 2019年3月
  17. 〇島添 和樹, 西中 浩之, 吉本 昌広, “α-Fe2O3をバッファー層に用いたr面α-Al2O3基板上の準安定相rh-ITOの物性評価” 第28回日本MRS年次大会, A1–P20–020, 2018年12月

国際学会発表(第一筆頭著者) Presentation in international conference(1st author)

  1. Kazuki Shimazoe, Hiroyuki Nishinaka, Temma Ogawa, and Masahiro Yoshimoto, “Vertical α-Ga2O3 Device Applications Enabled by Same Crystal Structured Indium Tin Oxide Electrode via Mist Chemical Vapor Deposition”, 2023 MRS Fall Meeting & Exhibit, EL11.11.04, Boston, USA, November 2023. (accepted)
  2. Kazuki SHIMAZOE, Hiroyuki NISHINAKA, Takahiro KATO, Yoko TANIGUCHI, and Masahiro YOSHIMOTO, “Mist chemical vapor deposition of α-Ga2O3 and α-Fe2O3 thin films on corundum-structured rh-ITO electrode”, International Conference on Crystal Growth Epitaxy 20(ICCGE-20)”, Thin films and epitaxial growth-01, SG-I-1, Oral presentation-02, Naples, Italy, August 2023. (accepted)
  3. Kazuki Shimazoe, Hiroyuki Nishinaka, and Masahiro Yoshimoto, “Growth of corundum structured oxides and their alloy for lattice matched applications.”, International Meeting for Future of Electron Devices , Kansai 2021, P13, Online, November 2021(accepted)
  4. Kazuki Shimazoe, Hiroyuki Nishinaka, Yuta Arata, Yusuke Ito, and Masahiro Yoshimoto, “Growth of Rhombohedral Indium Oxide Thin Films on LiTaO3 Substrate for Fabrication of Lattice Matched Indium Gallium Oxide Power Devices”, International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai 2020 Satellite event, P-16, Online, November 2020 (accepted)
  5. K. Shimazoe, H. Nishinaka, D. Tahara, Y. Arata and M. Yoshimoto, “Growth and Characterization of Corundum Structure Oxide Semiconductor on α-Fe2O3 Buffer Layers by The Mist CVD”, MRS FALL MEETING & EXHIBIT, FF05.06.03, Boston, USA, December 2019. (accepted)
  6. K. Shimazoe, H. Nishinaka, D. Tahara, Y. Arata and M. Yoshimoto, “Growth of α- and ε-Ga2O3 Epitaxial Thin Films on LiTaO3 Substrate”, International Meeting for Future of Electron Devices Kansai, PP–5, Kyoto, Japan, November 2019. (accepted)
  7. K. Shimazoe, H. Nishinaka and M. Yoshimoto, “Growth and Characterization of Single-Phase Metastable Rhombohedral Indium Tin Oxide Epitaxial Films on Various Plane α-Al2O3 Substrates with α-Fe2O3 Buffer Layers”, 11th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics, 1pP13, Nara, Japan, October 2019. (accepted)

国内学会発表(共著) Presentation in domestic conference (co-author)

  1. 谷口 陽子, 西中 浩之, 島添 和樹, 川原村 敏幸, 鐘ケ江 一孝, 吉本 昌広, 「可視光応答型光触媒応用に向けたBi 添加 In2O3薄膜およびナノロッドの作製とその光学特性評価」令和5年度 日本材料学会 半導体エレクトロニクス部門委員会 第3回研究会, T-13, 鳥取, 2024年1月
  2. 近藤良，島添 和樹， 西中浩之，吉本昌広、「α-(Ga,Fe)2O3光電極のミストCVD成長とその評価」 第52回結晶成長国内会議（JCCG-52）, 06a-P14, 愛知, 2023年12月
  3. 加藤貴大, 西中浩之, 島添 和樹，吉本昌広、「ミスト CVD 法によるビックスバイト構造 δ-Ga2O3 薄膜を用いた紫外光検出器」 第20回薄膜材料デバイス研究会, 10p-P04, 京都, 2023年11月
  4. 加藤貴大, 西中浩之，島添 和樹，鐘ケ江一孝, 吉本昌広、”Epitaxial growth of bixbyite structured delta-Ga2O3 thin films using the same structured beta-Fe2O3 buffer layers by Mist CVD”, The 41th Electronic Materials Symposium, EMS, 奈良, 2022年10月.
  5. 谷口陽子, 西中浩之，島添 和樹，川原村敏幸，鐘ケ江一孝, 吉本昌広、”Visible-light responsive photocatalyst of Bismuth incorporation into In2O3 thin films by mist CVD”, The 41th Electronic Materials Symposium, EMS, 奈良, 2022年10月
  6. 谷口 陽子, 島添 和樹, 西中 浩之, 川原村 敏幸, 鐘ケ江 一孝, 吉本 昌広, “Bi添加In2O3薄膜による可視光応答型光触媒反応の評価”, 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 20p-B203-9, 宮城(ハイブリッド), 2022年9月
  7. 石野 貴之, 島添 和樹, 鐘ケ江 一孝, 西中 浩之, 吉本 昌広, “ミストCVD法を用いたc面サファイア基板上のrh-IMO薄膜のエピタキシャル成長とその評価”, 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 21p-B203-16, 宮城(ハイブリッド), 2022年9月
  8. 小川典真, 西中 浩之, 島添 和樹, 鐘ケ江 一孝, 吉本 昌広, “ミストCVD法によるGeドープβ-Ga2O3薄膜のホモエピタキシャル成長”, 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 21p-B203-6, 宮城(ハイブリッド), 2022年9月
  9. 加藤 貴大, 西中 浩之, 島添 和樹, 鐘ケ江 一孝, 吉本 昌広, “ミストCVD法によるβ-Fe2O3バッファ層を用いたδ-Ga2O3のエピタキシャル成長”, 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 21p-B203-5, 宮城(ハイブリッド), 2022年9月
  10. 谷口 陽子, 島添 和樹, 西中 浩之, 吉本 昌広, ”Bi添加In2O3の光学的特性評価 / Characterization of Bismuth Doped In2O3 on Quartz Glass Substrate”, 第31回 日本MRS年次大会, E-P14-017, オンライン, 2021年12月
  11. 石野 貴之, 島添 和樹, 西中 浩之, 吉本 昌広, ”ミストCVD法によるα-Al2O3基板上のrh-IMO薄膜のエピタキシャル成長とその評価 / Characterization of Epitaxial Metastable Rhombohedral Mo-doped In2O3 on α-Al2O3 Substrate with α-Fe2O3 by mist chemical vapor deposition”, 第31回 日本MRS年次大会, E-O14-003, オンライン, 2021年12月
  12. 石野 貴之, 島添 和樹, 西中 浩之, 吉本 昌広, “ミストCVD法を用いたYSZ(111)面基板上のIMO薄膜のエピタキシャル成長とその評価”, 第82回秋季応用物理学会学術講演会, 13a-N203-7, オンライン, 2021年9月
  13. Y. Arata, H. Nishinaka, K. Shimazoe, Y. Ito, and M. Yoshimoto, “Epitaxial growth of various p- and n-type oxide thin films on flexible synthetic mica using mist chemical vapor deposition”, 第39回電子材料シンポジウム, P2-6, オンライン, 2020年10月
  14. 新田 悠汰, 西中 浩之, 島添 和樹, 田原 大祐, 吉本 昌広, “ミストCVD法を用いたフレキシブルなワイドギャップ酸化物半導体のエピタキシャル成長”, 第67回応用物理学会春季学術講演会, 15a-PA5-24, 東京, 2020年 3月
  15. 伊藤 雄祐, 藤原 悠希, 西中 浩之, 田原 大祐, 島添 和樹, 新田 悠汰, 野田 実, 吉本 昌広, “ミストCVD法によるrh-ITO上のε-Ga2O3薄膜成長と電気的特性評価”, 第67回応用物理学会春季学術講演会, 13p-D419-5, 東京, 2020年 3月
  16. 新田 悠汰, 西中 浩之, 田原 大祐, 島添 和樹, 伊藤 雄祐, 吉本 昌広, “合成雲母上へのバッファ層の挿入による曲げられるα-Ga2O3薄膜のエピタキシャル成長”, 第80回応用物理学会秋季学術講演会, 18p–PB5–3, 北海道, 2019年9月
  17. 西中 浩之, 田原 大祐, 新田 悠汰, 島添 和樹, 野田 実, 吉本 昌広, “新しい強誘電体ε-Ga2O3のエピタキシャル成長技術”, 第36回強誘電体応用会議, 01-T-05, 京都, 2019年5月

国際学会発表(共著) Presentation in international conference (co-author)

  1. Hiroyuki Nishinaka, Kazuki Shimazoe, Masahiro Kaneko, Temma Ogawa, Takahiro Kato, Yoko Taniguchi, and Masahiro Yoshimoto, “Tailoring Five Polymorphs of Ga2O3 using Mist CVD”, Ultra-wide bandgap oxides 2023, Bristol(UK), 2023/6, Session 3: Material growth.
  2. Yoko Taniguchi, Hiroyuki Nishinaka, Kazuki Shimazoe, Toshiyuki Kawaharamura, Kazutaka Kanegae, and Masahiro Yoshimoto, “Incorporation of Bismuth into In2O3 and Ga2O3 thin films to introduce intermediate levels”, Ultra-wide bandgap oxides 2023, Bristol(UK), 2023/6, posters.
  3. Takahiro Kato, Hiroyuki Nishinaka, Kazuki Shimazoe, and Masahiro Yoshimoto, “Epitaxial growth of δ-Ga2O3 thin films using β-Fe2O3 buffer layers grown on YSZ and sapphire substrates by mist CVD” Compound Semiconductor Week 2023 (CSW 2023), P1-076, Jeju, Korea, May 2023.(accepted) (Poster Award)
  4. Yoko Taniguchi, Hiroyuki Nishinaka, Kazuki Shimazoe, Toshiyuki Kawaharamura, Kazutaka Kanegae, Masahiro Yoshimoto, “Visible-light absorption of In2O3 thin films and nanorods by incorporation of Bismuth for visible light-responsive photocatalyst”, E-MRS 2023 Spring Meeting, #01464, Strasbourg, France, May 2023. (accepted)
  5. T. Kato, H. Nishinaka, K. Shimazoe, and M. Yoshimoto, “Demonstration of δ-Ga2O3 epitaxial thin films using β-Fe2O3 buffer layers by mist CVD” The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, Pos 1-16, Nagano, Japan, October 2022. (accepted)
  6. T. Ogawa, H. Nishinaka, K. Shimazoe, T. Nagaoka, H. Miyake, and M. Yoshimoto, “Homoepitaxial growth of Ge-doped β-Ga2O3 films by mist chemical vapor deposition” The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, Pos 1-12, Nagano, Japan, October 2022. (accepted)
  7. T. Ishino, K. Shimazoe, K. Watanabe, H. Nishinaka, and M. Yoshimoto, “Epitaxial growth of Mo-doped Indium Oxide (IMO) thin film on YSZ by mist chemical vapor deposition”, 8th International Symposium on Transparent Conductive Materials & 12th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics (TCM-TOEO 2022), O41/105, Crete, Greece, October 2022. (accepted)
  8. Y. Arata, H. Nishinaka, D. Tahara, K. Shimazoe, Y. Ito and M. Yoshimoto, “Fabrication of Flexible and Epitaxial Oxide Thin Films on Cleaved Synthetic Mica Using Mist Chemical Vapor Deposition”, 2019 MRS FALL MEETING AND EXIBITION, FF05.06.04, Boston, USA, December 2019. (accepted)
  9. D. Tahara, H. Nishinaka, Y. Arata, K. Shimazoe, Y. Ito, M. Noda and M. Yoshimoto, “Growth and Characterization of Orthorhombic ε-Ga2O3 Thin Films Fabricated via Mist Chemical Vapor Deposition”, 2019 MRS FALL MEETING AND EXIBITION, FF05.02.07, Boston, USA, December 2019. (accepted)
  10. Y. Arata, H. Nishinaka, D. Tahara, K. Shimazoe, Y. Ito and M. Yoshimoto, “Fabrication of Flexible and Epitaxial Metastable Ga2O3 Thin Films on Synthetic Mica Using Oxide Buffer Layer”, International Meeting for Future of Electron Devices Kansai, PP–6, Kyoto, Japan, November 2019. (accepted)
  11. D. Tahara, H. Nishinaka, Y. Arata, K. Shimazoe and M. Yoshimoto, “Microstructures of ε-Ga2O3 Thin Film on (100) TiO2 Substrate by Mist Chemical Vapor Deposition”, International Meeting for Future of Electron Devices Kansai, G–6, Kyoto, Japan, November 2019. (accepted)
  12. Y. Arata, H. Nishinaka, D. Tahara, K. Shimazoe, Y. Ito and M. Yoshimoto, “Van der waals epitaxy of flexible ε- and α-Ga2O3 films on cleaved mica by mist chemical vapor deposition”, 11th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics, 2pO05, Japan, October 2019. (accepted)

その他の発表 Other presentations

  1. Kazuki Shimazoe, “Heteroepitaxial growth of α-Ga2O3 and α-Fe2O3 on rhITO bottom electrode and their device applications”, On-line scientific meeting in respect to the projects of the CRECYCSEM group, University of Valencia (and Online), July 2023
  2. Kazuki Shimazoe, “MOCVD Growth of ZnO Thin Films and Spray Pyrolysis Growth of Ga2O3 , In2O3 , and Their Alloys”, Jornada Científica sobre obtención y caracterización de materiales para la plasmónica, Online (University of Valencia), December 2022

受賞 Awards

  1. 島添 和樹, 京都工芸繊維大学 令和5年度学長表彰(研究業績優秀者)
  2. 島添 和樹, 第52回結晶成長国内会議(JCCG-52) 学生ポスター賞, 2023年12月
  3. 島添 和樹, EMS賞, 第42回電子材料シンポジウム, 2023年10月
  4. Kazuki Shimazoe IEEE EDS Kansai Chapter IMFEDK 2021 Poster Paper Award
  5. 島添 和樹, 第17回 JSAPフォト＆イラスト コンテスト 優秀賞,” おばあちゃん家のガラス”

その他 Others

  1. 京都工芸繊維大学大学案内2023　P26　私の研究
  2. 島添 和樹 “おばあちゃん家のガラス(第17回JSAPフォト＆イラストコンテスト優秀賞受賞作品” 応用物理, 90, pp. 655(2020)